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口頭

PHITSにおけるイオンの飛跡構造計算機能の開発

甲斐 健師; 佐藤 達彦; Liamsuwan, T.*; Nikjoo, H.*

no journal, , 

放射線と物質の相互作用研究において、PHITSのような汎用放射線輸送計算コードは、センチメートルスケールの複雑体系における線量評価と共に、ナノスケールの微視的空間領域で誘発される放射線作用を研究する分野への適用も期待されている。そのため、これまでの電子に加えて、陽子及び炭素イオンの微視的挙動及び分子レベルのエネルギー付与量(電離や電子的励起)を解析するため、飛跡構造計算機能を高度化して、PHITSへ実装した。PHITSはこれまで細胞レベルのエネルギー付与計算が限界であったが、高度化した飛跡構造計算機能を適用することで、分子レベルの放射線分解・反応が関与するDNA損傷の推定等への適用が期待される。

口頭

OH1を用いたテラヘルツ波発生直後の波形計測

横山 啓一; 松田 晶平

no journal, , 

テラヘルツ波を用いたセシウム同位体分離の原理実証実験では回折による伝播損失を避けるために発生直後のTHz波を利用することが考えられる。これに必要な技術開発の一つとして、発生直後のスペクトルをTHz波時間領域分光により測定するための基礎実験を行った。THz発生用有機結晶のOH1はEO効果も大きいため発生と同時に波形計測も精度よく実施できる可能性がある。OH1をTHz発生と共にEOサンプリングに用いた波形測定試験を行ったのでこの結果について報告する。実験の結果、OH1結晶内でのTHz波の内部反射を利用することで励起光パルスの影響を受けずに波形計測が可能なことを明らかにした。

口頭

全反射高速陽電子回折による2次元物質の構造決定

深谷 有喜

no journal, , 

全反射高速陽電子回折(TRHEPD)は反射高速電子回折(RHEED)の陽電子版である。電子の反粒子である陽電子は、電子と同じ質量, 電荷, スピンを持つが、電荷の符号が電子とは逆のプラスである。そのため、陽電子は物質の結晶ポテンシャルから斥力を受ける。特に、陽電子ビームが試料表面にすれすれの角度で入射すると、物質中に取りうる状態が存在せず全反射が起こる。全反射条件下における陽電子ビームの物質中への侵入深さはおよそ1${AA}$以下であり、原子1個分の厚みにしか満たない。したがって、TRHEPDでは表面に特化した構造解析が可能であり、原子1個分の厚みしか持たない2次元物質の構造決定に有効となる。講演の前半では、陽電子ビームの表面敏感性について説明し、後半では、TRHEPD法を用いた金属基板上のグラフェン, シリセン, ゲルマネンの構造決定について報告する。

口頭

太陽電池を応用した廃炉用高レベル放射線線量計の開発

奥野 泰希; 岡本 保*; 後藤 康仁*; 秋吉 優史*; 今泉 充*; 小林 知洋*

no journal, , 

東京電力福島第一原子力発電所(1F)の炉内および建屋内は事故の影響で非常に高い放射線環境となっている。我々は、太陽電池素子をセンサとした線量測定技術を基盤とした高線量放射線計測システムを提案し、実用化に向けた開発を行っている。太陽電池型の検出器は薄膜構造や内部電界による無電源駆動といった特長を有しており、1Fの廃炉環境において有用であると考えられている。本報告では、高い放射線耐性を有する太陽電池の放射線挙動特性について述べる。

口頭

Hex-Au(100)再構成表面上でのグラフェンの電子バンド構造の変調

寺澤 知潮; 保田 諭; 林 直輝*; 乗松 航*; 伊藤 孝寛*; 町田 真一*; 矢野 雅大; 斉木 幸一朗*; 朝岡 秀人

no journal, , 

本研究ではAu(100)単結晶上にグラフェンをCVD法によって作製し、角度分解光電子分光(ARPES)法によってグラフェンの電子バンド構造を直接観察した。グラフェンの直線的なバンド分散において、ディラック点から約0.9eV離れた領域に光電子強度の減少が確認された。これはこのエネルギー帯においてグラフェンのバンド構造が1.44nmの繰り返し周期を持つHex-Au(100)再構成構造によって変調を受けたことを示している。

口頭

Si(110)上の還元反応領域

矢野 雅大; 寺澤 知潮; 町田 真一*; 保田 諭; 朝岡 秀人

no journal, , 

Si(110)上酸化膜還元過程の実時間計測をSTMおよびXPSを用いて行った。STMでは酸化膜と清浄面の境界に特異な領域が拡大していく様子が観測された。この現象は還元を中断して室温で計測しても観測されないため、還元反応の遷移状態を示していると考えられる。XPS計測では還元過程でSi$$^{3+}$$の割合が増加することが確認された。講演ではこれら結果を基にSi(110)上酸化膜の還元ダイナミクスについて議論する。

口頭

高輝度X線を用いたレーザー照射時の粉末粒子の溶融挙動観察とスパッタレスSLM法の開発

佐藤 雄二; 塚本 雅裕*; 菖蒲 敬久; 村松 壽晴

no journal, , 

レーザー金属積層造形法(Selective Laser Melting: SLM)法は、層毎に金属粉末をレーザーで溶融・凝固を繰り返し、立体形状を形成する手法で、任意の形状や構造を造形することができる。一般に、レーザーを金属粉末に照射するとスパッタが発生する。スパッタは、造形効率を低くするだけでなく、造形内部に空孔を形成してしまい、相対密度を低くしてしまう。そこで我々は、高輝度X線を用いてレーザー照射時の金属粉末単体の溶融挙動を観察して、スパッタ発生因子を特定し、スパッタレスSLM法を開発した。

口頭

光ファイバーと赤色発光シンチレータを用いたガンマ線検出器の開発

小玉 翔平*; 黒澤 俊介*; 森下 祐樹; 宇佐美 博士; 林 真照*; 田中 浩基*; 吉野 将生*; 鎌田 圭*; 吉川 彰*; 鳥居 建男

no journal, , 

福島第一原子力発電所の廃炉に向け、長尺光ファイバーと赤色発光シンチレータを用いた放射線の遠隔測定技術の開発および使用シンチレータの選定について検討した。従来から検討されているルビーシンチレータと、われわれが開発した新規材料であるセシウム・ハフニウム沃化物をプローブとして用い、京都大学複合原子力科学研究所・コバルト60ガンマ線照射装置にて光ファイバーでの光読み出し試験を行った。シンチレーション光はSi-フォト・ダイオードまたはCCD分光器を用いて検出を行い、空間線量率と信号強度の線形性を評価した結果、すべてのシンチレータ・検出器の組み合わせで線形性が確認できた。

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